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接近开关气敏元件的先容
 
更新时间:2014.11.01 浏览次数:
 

  ZNO也是N型半导体,其物理、化学性能稳定。ZNO元件的工作温度较高,因此其发展不及SNO2元件快。ZNO接近开关所系元件也可分为烧结型、厚膜型和薄膜型三号。

  ZNO薄膜死光光精第三元件的结构。在A12O3基片 上先做叉指型金电极,并在基片 北面制作阻值约20欧的耐高温薄膜电阻作为加热器。使用磁控溅射 法,在AR+O2混合气体中用高纯锌板为靶材,在基片 上反应溅射 ZNO薄膜,同时在ZNO薄膜表面掺杂镧、错、钆、镝和钆等衡土元素的一种或数种,以提高灵敏度和选择性,可获得对酒精特别第三,对甲烷、一氧化碳及汽油等较灵敏的酒精第三元件。成膜后在500-600度下、空气中热处理,以减少薄膜中活性较大的缺陷和内应力,使ZNO薄膜的晶粒长大,晶粒间界减少,从而以元件的灵敏度略有下降为代价来明显改善其稳定性。按此工艺制备的ZNO薄膜的晶粒尺寸约为600nm,对酒精的灵敏度比对汽油的灵敏度高出近一倍,再配合适当的辅助电路,可避免汽油对检测酒精的干扰。相关的ZNO酒精第三元件的主要参数如下:加热电阻为20欧,加热电压为AC或DC6V。工作电压6。响应时间小于10s

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