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霍尔传感器磁敏三极管
 
更新时间:2015.01.20 浏览次数:
 

  磁敏三极管结构是在高纯度半导体锗的两端杂质P型区和N型区,和磁敏二极管一样也有I区和R区。

  在没有外加磁场时,从发射极E注入到I区的电子,在横向磁场UBE的作用下,大部分与I区的空穴复合形成基极电流,少部分电子到集电极形成集电极电流。此时基极电流大于集电极电流。在外加磁场B的作用下,从发射极E注入到I区的电子,在受到横向电场UBE的作用外,还受到洛伦兹力的作用,使其向复合区R的方向偏转,导致电子的分布发生变化,原来注入集电极的部分电子注入基区,原来注入基区的部分电子进入了复合区,导致集电极电流减小,基极的电基本保持不变,而在运算中,像光电开关传感器、接近开关传感器的方式更加不同。

  在外加磁场B的作用时,其过程和外加磁场B时的情况刚好相反,导致集电极电流增大,基极的电流基本保持不变。

  由此可以看出,磁敏三极管和磁敏三极管的工作原理基本相同,可以用磁场方向控制集电极电流的增加或减小,也可以用磁场的强弱控制集电极电流增加或减小的变化量。

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